სპეციალური ფასი გლობალური კონდენსატორის მიმწოდებლისთვის - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგების დიელექტრიკული გამთიშველი კონდენსატორი IGBT გამოყენებისთვის – CRE

სპეციალური ფასი გლობალური კონდენსატორის მიმწოდებლისთვის - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგების დიელექტრიკი, IGBT გამოყენებისთვის განკუთვნილი გამანადგურებელი კონდენსატორი – CRE-ს გამორჩეული სურათი

მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ PDF ფორმატში

პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

უკუკავშირი (2)

მომხმარებლის კმაყოფილება ჩვენი მთავარი აქცენტია. ჩვენ ვიცავთ პროფესიონალიზმის, მაღალი ხარისხის, სანდოობისა და მომსახურების თანმიმდევრულ დონეს.ფირის კონდენსატორი, რომელიც შექმნილია ფოტოელექტრული ინვერტორისთვის , დაბალი ESR ფირის კონდენსატორი , ოთხპინიანი ტერმინალური კონდენსატორი, მივესალმებით მსოფლიოს სხვადასხვა კუთხიდან მომხმარებლებს, რომლებიც დაგვიკავშირდებიან ორგანიზებისა და გრძელვადიანი თანამშრომლობისთვის. ჩვენ ვიქნებით თქვენი სანდო პარტნიორი და ავტოგანყოფილებებისა და აქსესუარების მიმწოდებელი ჩინეთში.

სპეციალური ფასი გლობალური კონდენსატორის მიმწოდებლისთვის - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგების დიელექტრიკი. IGBT გამოყენებისთვის განკუთვნილი გამთიშველი კონდენსატორი – CRE დეტალები:

SMJ-P სერია

ნომინალური ძაბვის დიაპაზონი: 1000 ვოლტიდან 2000 ვოლტამდე
ტევადობის დიაპაზონი: 0.1 μf-დან 3.0 μf-მდე
სამონტაჟო დახრილობა: 22.5 მმ-დან 48 მმ-მდე
კონსტრუქცია: მეტალიზებული პოლიპროპილენის დიელექტრიკული შიდა სერიული შეერთება
გამოყენება: IGBT დაცვა, რეზონანსული ავზის სქემები

თვითაღდგენადი, მშრალი ტიპის, გამქრობი კონდენსატორის ელემენტები დამზადებულია სპეციალურად პროფილირებული, ტალღისებურად მოჭრილი მეტალიზებული PP აპკის გამოყენებით, რომელიც უზრუნველყოფს დაბალ თვითინდუქციას, მაღალ მდგრადობას რღვევის მიმართ და მაღალ საიმედოობას. ზედმეტი წნევის გამორთვა საჭიროდ არ ითვლება. კონდენსატორის ზედა ნაწილი დალუქულია თვითჩაქრობადი, ეკოლოგიურად სუფთა ეპოქსიდური ფისით. სპეციალური დიზაინი უზრუნველყოფს ძალიან დაბალ თვითინდუქციას.

IMG_0397.HEIC

სპეციფიკაციების ცხრილი

ძაბვა	700 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა, 400 ვაკი; 1050 ვოლტი
	ზომა (მმ)
Cn(μF)	ლ(±1)	T(±1)	H(±1)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	იპკ(ა)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წელი	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წელი	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წელი	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წელი	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წელი	33

ძაბვა	1000 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა, 500 ვაკი; 1500 ვოლტი
	ზომა (მმ)
Cn(μF)	ლ(±1)	T(±1)	H(±1)	ედს (მΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	IRM-ები
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წელი	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წელი	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წელი	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წელი	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წელი	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

ძაბვა	1200 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა, 550 ვაკი; 1800 ვოლტი
Cn(μF)	ლ(±1)	T(±1)	H(±1)	ედს (მΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	IRM-ები
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წელი	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წელი	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წელი	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წელი	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წელი	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წელი	32

ძაბვა	1700 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა, 575 ვაკი; 2250 ვოლტი
Cn(μF)	ლ(±1)	T(±1)	H(±1)	ედს (მΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	IRM-ები
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წელი	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წელი	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წელი	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წელი	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წელი	32

ძაბვა	2000 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა, 700 ვაკი; 3000 ვოლტი
Cn(μF)	ლ(±1)	T(±1)	H(±1)	ედს (მΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	IRM-ები
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წელი	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წელი	32

ძაბვა	3000 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა, 750 ვაკი; 4500 ვოლტი
Cn(μF)	ლ(±1)	T(±1)	H(±1)	ედს (მΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	IRM-ები
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წელი	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წელი	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წელი	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

პროდუქტის დეტალური სურათები:

დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

კომპანია ინარჩუნებს ოპერაციული კონცეფციის „მეცნიერული მენეჯმენტი“, მაღალი ხარისხისა და ეფექტურობის პრიორიტეტს, მომხმარებლისთვის უმაღლესი ფასის გამო გლობალური კონდენსატორის მიმწოდებელზე - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგის დიელექტრიკული გამთიშველი კონდენსატორი IGBT გამოყენებისთვის - CRE. პროდუქტი მიეწოდება მთელ მსოფლიოში, როგორიცაა: ნიგერი, არაბთა გაერთიანებული საამიროები, პროვანსი. მრავალწლიანი კარგი მომსახურებითა და განვითარებით, ჩვენ გვყავს პროფესიონალური საერთაშორისო გაყიდვების გუნდი. ჩვენი პროდუქცია ექსპორტირებულია ჩრდილოეთ ამერიკაში, ევროპაში, იაპონიაში, კორეაში, ავსტრალიაში, ახალ ზელანდიაში, რუსეთსა და სხვა ქვეყნებში. მოუთმენლად ველით თქვენთან კარგი და გრძელვადიანი თანამშრომლობის დამყარებას უახლოეს მომავალში!

სამედიცინო მოწყობილობებისთვის განკუთვნილი Dc კონდენსატორი

მუდმივი დენის კონდენსატორი

Ess კონდენსატორი