ჩინეთის ROHS და REACH-ის შესაბამისი ღერძული ჩამკეტი კონდენსატორი SMJ-TE ქარხანა და მომწოდებლები |CRE

ROHS და REACH-თან თავსებადი ღერძული ჩამკეტი კონდენსატორი SMJ-TE

ROHS-თან და REACH-თან თავსებადი ღერძული ჩამკეტი კონდენსატორი SMJ-TE გამორჩეული სურათი

Მოკლე აღწერა:

Snubber კონდენსატორი
IGBT snubber კონდენსატორების CRE დიაპაზონი შეესაბამება ROHS და REACH-ს.

1. ცეცხლგამძლე მახასიათებლები

2. პლასტმასის შიგთავსი ან Mylar ლენტით

3. ეპოქსიდური ბოლოს შევსებული

4. შეასრულეთ UL94

5. საბაჟო შექმნილია ხელმისაწვდომი

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

SMJ-TE სერია

მეტალიზებული პოლიპროპილენის ფირის snubber capacitor

თვითშეხორცებადი, მშრალი ტიპის, სნაბბერი კონდენსატორის ელემენტები დამზადებულია სპეციალურად პროფილირებული, ტალღისებრი მეტალიზებული PP ფირის გამოყენებით, რომელიც უზრუნველყოფს დაბალ თვითინდუქციურობას, მაღალი რღვევის წინააღმდეგობას და მაღალ საიმედოობას.ზედმეტი წნევის გათიშვა საჭიროდ არ ითვლება.კონდენსატორის ზედა ნაწილი დალუქულია თვითჩაქრობით ეკოლოგიურად სუფთა ეპოქსიდით.სპეციალური დიზაინი უზრუნველყოფს ძალიან დაბალ თვითინდუქციურობას.

სპეციფიკაციების ცხრილი

SMJ-TE ღერძული კონდენსატორი
Ვოლტაჟი		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036 წ	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224 წ	14.2
Ვოლტაჟი		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350 წ	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600 წ	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320 წ	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250 წ	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440 წ	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 წ	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 წ	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 წ	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Ვოლტაჟი		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300 წ	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 წ	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350 წ	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600 წ	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 წ	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540 წ	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 წ	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 წ	18.2
Ვოლტაჟი		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300 წ	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125 წ	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300 წ	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540 წ	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 წ	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 წ	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 წ	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 წ	18.2
Ვოლტაჟი		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 წ	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400 წ	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300 წ	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250 წ	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 წ	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540 წ	17.8
Ვოლტაჟი		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 წ	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800 წ	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350 წ	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5