• ბბბ

დაბალი დანაკარგის დიელექტრიკი პოლიპროპილენის ფირის Snubber კონდენსატორი IGBT გამოყენებისთვის

Მოკლე აღწერა:

IGBT snubber კონდენსატორების CRE დიაპაზონი შეესაბამება ROHS და REACH-ს.

1. ცეცხლგამძლე თვისებები უზრუნველყოფილია პლასტიკური გარსაცმისა და ეპოქსიდური ბოლოების შემავსებლის გამოყენებით, რომლებიც შეესაბამება UL94-VO-ს.

2. ტერმინალის სტილის და ქეისების ზომის მორგება შესაძლებელია.

 


  • :
  • პროდუქტის დეტალი

    პროდუქტის ტეგები

    SMJ-P სერია

    ნომინალური ძაბვის დიაპაზონი: 1000 VDC-დან 2000 VDC-მდე
    ტევადობის დიაპაზონი: 0.1 uf-დან 3.0 uf-მდე
    სამონტაჟო ნაბიჯი: 22,5 მმ-დან 48 მმ-მდე
    კონსტრუქცია: მეტალიზებული პოლიპროპილენის დიელექტრიკული შიდა სერიის კავშირი
    აპლიკაცია: IGBT დაცვა, რეზონანსული სატანკო სქემები

    თვითშეხორცებადი, მშრალი ტიპის, სნაბბერი კონდენსატორის ელემენტები დამზადებულია სპეციალურად პროფილირებული, ტალღური მოჭრილი მეტალიზებული PP ფირის გამოყენებით, რომელიც უზრუნველყოფს დაბალ თვითინდუქციურობას, მაღალი რღვევის წინააღმდეგობას და მაღალ საიმედოობას.ზედმეტი წნევის გათიშვა საჭიროდ არ ითვლება.კონდენსატორის ზედა ნაწილი დალუქულია თვითჩაქრობით ეკოლოგიურად სუფთა ეპოქსიდით.სპეციალური დიზაინი უზრუნველყოფს ძალიან დაბალ თვითინდუქციურობას.

    IMG_0397.HEIC

    სპეციფიკაციების ცხრილი

    Ვოლტაჟი Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
    განზომილება (მმ)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
    0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
    0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
    1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
    1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
    2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
    2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
    3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 წ 20
    3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
    3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 წ 25
    3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
    4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 წ 25
    5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 წ 25
    6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 წ 28
    6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 წ 32
    8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 წ 33
    Ვოლტაჟი Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
    განზომილება (მმ)
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
    0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
    1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
    2 42.5 33 45 5 22 700 1400 წ 20
    2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
    3 57.5 35 50 4 30 600 1800 წ 25
    3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 წ 25
    3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 წ 25
    4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 წ 28
    4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 წ 30
    5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
    Ვოლტაჟი Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
    0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
    1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
    1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
    2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
    2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 წ 25
    3 57.5 35 50 4 27 600 1800 წ 25
    3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 წ 28
    3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 წ 28
    4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 წ 30
    4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 წ 32
    Ვოლტაჟი Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
    0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 წ 429 9
    0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 წ 611 10
    0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 წ 884 12
    1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
    1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 წ 18
    1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 წ 20
    2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
    2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
    3 57.5 38 54 4 27 700 2100 წ 25
    3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 წ 28
    3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 წ 30
    4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 წ 32
    Ვოლტაჟი Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
    0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
    0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
    0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 წ 658 15
    0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
    0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
    0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
    1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
    1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
    2 57.5 38 54 5 24 800 1600 წ 28
    2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 წ 32
    Ვოლტაჟი Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
    Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
    0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
    0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
    0.22 57.5 35 50 15 25 2000 წ 330 20
    0.33 57.5 35 50 12 24 1800 წ 495 20
    0.47 57.5 38 54 11 23 1600 წ 752 22
    0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 წ 28

  • წინა:
  • შემდეგი:

  • გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება:

    დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ

    გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება: