მეტალიზებული ფირის IGBT Snubber კონდენსატორი

მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor გამორჩეული სურათი

Მოკლე აღწერა:

1. პლასტმასის ქეისი, დალუქული ფისით;

2. თუნუქის მოოქროვილი სპილენძის ჩანართები, მარტივი მონტაჟი IGBT-სთვის;

3. წინააღმდეგობა მაღალი ძაბვის, დაბალი tgδ, დაბალი ტემპერატურის ზრდა;

4. დაბალი ESL და ESR;

5. მაღალი პულსის დენი.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

SMJ-P სერია

ენერგეტიკული ელექტრონიკის აპლიკაციებში, სნუბერის კონდენსატორი დაკავშირებულია დიდი დენის გადართვის კვანძთან, რათა შემცირდეს ელექტრული გაყვანილობის პარაზიტული ინდუქციურობა.

პარაზიტული ინდუქციურობა იწვევს დიდ მატებას გამორთვისას (როდესაც დენი დაბლოკილია) და თუ ასეთი ტალღები აღემატება კომპონენტების რეიტინგებს, უარეს შემთხვევაში არსებობს შეშფოთება მარცხის შესახებ.

დაბალი ინდუქციურობის შიდა კონსტრუქციების, სურვილისამებრ ჩამოსხმული ფისოვანი კორპუსების და მორგებული ტერმინალების გამოყენებით, SMJ-P სერია განკუთვნილია IGBTS სწრაფი გადართვისთვის და შეიძლება იყოს სნაბერები და მაღალი დენის მაღალი სიხშირის შეყვანის ფილტრები.

Ტექნიკური მონაცემები

Ვოლტაჟი	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140 წ	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წ	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წ	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400 წ	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წ	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წ	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წ	33
Ვოლტაჟი	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400 წ	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წ	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წ	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წ	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წ	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წ	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Ვოლტაჟი	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წ	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წ	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წ	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წ	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წ	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300 წ	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300 წ	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300 წ	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წ	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წ	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 წ	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წ	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წ	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400 წ	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წ	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წ	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წ	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წ	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020 წ	28