• ბბბ

მაღალი პიკის დენის snubber ფილმის კონდენსატორების დიზაინი IGBT დენის ელექტრონიკის აპლიკაციებისთვის

Მოკლე აღწერა:

IGBT snubber SMJ-P

1. პლასტმასის ქეისი, დალუქული ფისით;

2. თუნუქის მოოქროვილი სპილენძის ჩანართები, მარტივი მონტაჟი IGBT-სთვის;

3. წინააღმდეგობა მაღალი ძაბვის, დაბალი tgδ, დაბალი ტემპერატურის ზრდა;

4. დაბალი ESL და ESR;

5. მაღალი პულსის დენი.

 


პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

Ტექნიკური მონაცემები

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი მაქს.ოპერაციული ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +105℃

ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +85℃

ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃

ტევადობის დიაპაზონი 0.1 μF5.6 μF
ნომინალური ძაბვა 700V.DC3000V.DC
Cap.tol ±5%(J);±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას 1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

Იზოლაციის წინააღმდეგობა

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S)

C0.33 μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S)

გაუძლოს დარტყმის დენს

იხილეთ მონაცემთა ცხრილი

ცეცხლის შეფერხება

UL94V-0

Სიცოცხლის ხანგრძლივობა

100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)

საცნობარო სტანდარტი

IEC61071;GB/T17702;

სპეციფიკაციების ცხრილი

Ვოლტაჟი Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
განზომილება (მმ)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 წ 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 წ 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 წ 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 წ 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 წ 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 წ 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 წ 33
Ვოლტაჟი Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
განზომილება (მმ)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 წ 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 წ 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 წ 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 წ 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 წ 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 წ 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32
Ვოლტაჟი Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 წ 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 წ 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 წ 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 წ 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 წ 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 წ 32
Ვოლტაჟი Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 წ 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 წ 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 წ 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 წ 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 წ 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 წ 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 წ 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 წ 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 წ 32
Ვოლტაჟი Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 წ 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 წ 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 წ 32
Ვოლტაჟი Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 წ 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 წ 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 წ 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 წ 28

  • წინა:
  • შემდეგი:

  • გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება:

    დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ

    გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება: