• ბბბ

ჩინეთის მწარმოებელი Dc-Link კონდენსატორისთვის დენის წყაროებისთვის - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE

Მოკლე აღწერა:


პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

გამოხმაურება (2)

ჩვენ ვიცით, რომ ჩვენ მხოლოდ მაშინ განვავითარებთ, თუ ჩვენ შეგვიძლია გარანტირებული ვიყოთ ჩვენი კომბინირებული ფასის კონკურენტუნარიანობისა და ხარისხში, რომელიც ხელსაყრელია ამავე დროს.მორგებული Ac ფილტრის კონდენსატორი , გლობალური კონდენსატორის მიმწოდებელი , DC დენის კონდენსატორი, ჩვენ ვაფასებთ თქვენს შეკითხვას, დამატებითი ინფორმაციისთვის გთხოვთ დაგვიკავშირდეთ, ჩვენ გიპასუხებთ რაც შეიძლება მალე!
ჩინეთის მწარმოებელი Dc-Link კონდენსატორისთვის დენის წყაროებისთვის - მეტალიზებული ფირის IGBT Snubber კონდენსატორი – CRE დეტალები:

Ტექნიკური მონაცემები

 

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი მაქს.სამუშაო ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +105℃ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +85℃ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃
ტევადობის დიაპაზონი 0.1μF~5.6μF
ნომინალური ძაბვა 700V.DC~3000V.DC
Cap.tol ±5%(J) ;±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას 1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Იზოლაციის წინააღმდეგობა

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S)

C>0.33μF RS*C≥5000S (at20℃ 100V.DC 60S)

გაუძლოს დარტყმის დენს

具体见规格表

ცეცხლის შეფერხება

UL94V-0

Სიცოცხლის ხანგრძლივობა

100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)

საცნობარო სტანდარტი

IEC61071;GB/T17702;

 

Ვოლტაჟი Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
განზომილება (მმ)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47 42.5 24.5 27.5 12 25 500 235 8
0.68 42.5 24.5 27.5 10 25 480 326.4 10
1 42.5 24.5 27.5 8 24 450 450 12
1.5 42.5 33.5 35.5 7 25 430 645 5
2 42.5 33 35.5 6 24 420 840 15
2.5 42.5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42.5 33 45 5.5 22 380 1140 წ 20
3 57.5 30 45 5 26 350 1050 22
3.5 42.5 33 45 5 23 350 1225 წ 25
3.5 57.5 30 45 6 25 300 1050 22
4.7 57.5 35 50 5 28 280 1316 წ 25
5.6 57.5 38 54 4 30 250 1400 წ 25
6 57.5 38 54 3.5 33 230 1380 წ 28
6.8 57.5 42.5 56 3.2 32 220 1496 წ 32
8 57.5 42.5 56 2.8 30 200 1600 წ 33

 

Ვოლტაჟი Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
განზომილება (მმ)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.47 42.5 24.5 27.5 11 25 1000 470 10
0.68 42.5 24.5 27.5 8 25 800 544 12
1 42.5 33.5 35.5 6 24 800 800 15
1.5 42.5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42.5 33 45 5 22 700 1400 წ 20
2.5 57.5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57.5 35 50 4 30 600 1800 წ 25
3.3 57.5 35 50 3.5 28 550 1815 წ 25
3.5 57.5 38 54 3.5 28 500 1750 წ 25
4 57.5 38 54 3.2 26 500 2000 წ 28
4.7 57.5 42.5 56 3 25 420 1974 წ 30
5.6 57.5 42.5 56 2.8 24 400 2240 32

 

Ვოლტაჟი Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.47 42.5 24.5 27.5 11 24 1200 564 10
0.68 42.5 33.5 35.5 7 23 1100 748 12
1 42.5 33.5 35.5 6 22 800 800 14
1.5 42.5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57.5 30 45 4 30 750 1500 20
2.5 57.5 35 50 4 28 700 1750 წ 25
3 57.5 35 50 4 27 600 1800 წ 25
3.3 57.5 38 54 4 27 550 1815 წ 28
3.5 57.5 38 54 3.5 25 500 1750 წ 28
4 57.5 42.5 56 3.5 25 450 1800 წ 30
4.7 57.5 42.5 56 3.2 23 420 1974 წ 32

 

Ვოლტაჟი Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.33 42.5 24.5 27.5 12 25 1300 წ 429 9
0.47 42.5 24.5 27.5 10 24 1300 წ 611 10
0.68 42.5 33.5 35.5 8 23 1300 წ 884 12
1 42.5 33 45 7 22 1200 1200 15
1.5 42.5 33 45 6 22 1200 1800 წ 18
1.5 57.5 30 45 5 31 1200 1800 წ 20
2 57.5 30 45 5 30 1100 2200 22
2.5 57.5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57.5 38 54 4 27 700 2100 წ 25
3.3 57.5 38 54 3.8 26 600 1980 წ 28
3.5 57.5 42.5 56 3.5 25 500 1750 წ 30
4 57.5 42.5 56 3.2 25 450 1800 წ 32

 

Ვოლტაჟი Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.22 42.5 24.5 27.5 15 25 1500 330 10
0.33 42.5 33.5 35.5 12 24 1500 495 12
0.47 42.5 33.5 35.5 11 23 1400 წ 658 15
0.68 42.5 33 45 8 22 1200 816 18
0.68 57.5 30 45 7 30 1100 748 20
0.82 42.5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57.5 30 45 6 28 1100 1100 25
1.5 57.5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57.5 38 54 5 24 800 1600 წ 28
2.2 57.5 42.5 56 4 23 700 1540 წ 32

 

Ვოლტაჟი Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) ირმს
0.15 42.5 33 45 18 28 2500 375 25
0.22 42.5 33 45 15 27 2200 484 28
0.22 57.5 35 50 15 25 2000 წ 330 20
0.33 57.5 35 50 12 24 1800 წ 495 20
0.47 57.5 38 54 11 23 1600 წ 752 22
0.68 57.5 42.5 56 8 22 1500 1020 წ 28

ფუნქცია

1. პლასტმასი, დალუქული ფისით;

2. თუნუქის მოოქროვილი სპილენძის ჩანართები, მარტივი მონტაჟი IGBT-სთვის;

3. წინააღმდეგობა მაღალი ძაბვის, დაბალი tgδ, დაბალი ტემპერატურის ზრდა;

4. დაბალი ESL და ESR;

5. მაღალი პულსის დენი.

დაბალი ინდუქციურობის შიდა კონსტრუქციების, სურვილისამებრ ჩამოსხმული ფისოვანი კორპუსების და მორგებული ტერმინალების გამოყენებით, SMJ-P სერია განკუთვნილია IGBTS სწრაფი გადართვისთვის და შეიძლება იყოს სნაბერები და მაღალი დენის მაღალი სიხშირის შეყვანის ფილტრები.


პროდუქტის დეტალური სურათები:

ჩინეთის მწარმოებელი Dc-Link კონდენსატორისთვის კვების ბლოკისთვის - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE დეტალური სურათები

ჩინეთის მწარმოებელი Dc-Link კონდენსატორისთვის კვების ბლოკისთვის - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE დეტალური სურათები

ჩინეთის მწარმოებელი Dc-Link კონდენსატორისთვის კვების ბლოკისთვის - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE დეტალური სურათები

ჩინეთის მწარმოებელი Dc-Link კონდენსატორისთვის კვების ბლოკისთვის - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE დეტალური სურათები


დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

ჩვენ გვყავს მრავალი შესანიშნავი პერსონალი, რომლებიც კარგად ერკვევიან მარკეტინგის, კვალიფიკაციის ამაღლების საკითხებში და წარმოების პროცესში წარმოების პრობლემურ პრობლემებთან გამკლავება ჩინეთისთვის. მსოფლიოში, როგორიცაა: Johor, მაკედონია, შრი-ლანკა, თუ რაიმე მიზეზით არ ხართ დარწმუნებული, რომელი პროდუქტი აირჩიოთ, ნუ მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ და ჩვენ სიამოვნებით მოგცემთ რჩევას და დაგეხმარებით.ამ გზით ჩვენ ვაპირებთ მოგაწოდოთ ყველა საჭირო ცოდნა საუკეთესო არჩევანის გასაკეთებლად.ჩვენი კომპანია მკაცრად მიჰყვება "გადარჩი კარგი ხარისხით, განავითარე კარგი კრედიტის შენარჩუნებით." საოპერაციო პოლიტიკა.მივესალმები ყველა ძველ და ახალ კლიენტს, ეწვიონ ჩვენს კომპანიას და ისაუბრონ ბიზნესზე.ჩვენ ვეძებთ უფრო და უფრო მეტ მომხმარებელს დიდებული მომავლის შესაქმნელად.
  • როგორც ამ ინდუსტრიის ვეტერანი, შეგვიძლია ვთქვათ, რომ კომპანია შეიძლება იყოს ლიდერი ინდუსტრიაში, სწორად შეარჩიეთ ისინი. 5 ვარსკვლავი ჯულია ფრანგულიდან - 2018.02.12 14:52
    ამ მწარმოებელს შეუძლია გააგრძელოს პროდუქტებისა და სერვისების გაუმჯობესება და სრულყოფა, ის შეესაბამება ბაზრის კონკურენციის წესებს, კონკურენტუნარიან კომპანიას. 5 ვარსკვლავი რებეკას მიერ მუმბაიდან - 2017.09.30 16:36

    გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება:

    დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ

    გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება: