საბითუმო ფასი ჩინეთის Ac Film Capacitor - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE

Მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

გამოხმაურება (2)

ხშირად მომხმარებელზე ორიენტირებული და ჩვენი საბოლოო მიზანია გავხდეთ არა მხოლოდ ყველაზე სანდო, სანდო და პატიოსანი პროვაიდერი, არამედ ჩვენი მომხმარებლების პარტნიორი.ულტრაკონდენსატორის ბატარეა , დაბალი Esl ფირის კონდენსატორი , Snubber Capacitor For Igbt, ახლა ჩვენ გვაქვს ოთხი წამყვანი გადაწყვეტა.ჩვენი პროდუქცია ყველაზე ეფექტურად იყიდება არა მხოლოდ ჩინეთის ბაზარზე, არამედ მიესალმება საერთაშორისო ინდუსტრიაში.

საბითუმო ფასი ჩინეთის Ac Film Capacitor - მეტალიზებული ფილმი IGBT Snubber capacitor – CRE დეტალები:

Ტექნიკური მონაცემები

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი	მაქს.სამუშაო ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +105℃ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +85℃ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃
ტევადობის დიაპაზონი	0.1μF～5.6μF
ნომინალური ძაბვა	700V.DC~3000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას	1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Იზოლაციის წინააღმდეგობა	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (at20℃ 100V.DC 60S)
გაუძლოს დარტყმის დენს	具体见规格表
ცეცხლის შეფერხება	UL94V-0
Სიცოცხლის ხანგრძლივობა	100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)
საცნობარო სტანდარტი	IEC61071;GB/T17702;

Ვოლტაჟი			Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140 წ	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წ	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წ	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400 წ	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წ	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წ	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წ	33


Ვოლტაჟი			Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400 წ	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წ	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წ	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წ	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წ	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წ	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Ვოლტაჟი			Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წ	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წ	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წ	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წ	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წ	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წ	32

Ვოლტაჟი			Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300 წ	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300 წ	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300 წ	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წ	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წ	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 წ	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წ	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წ	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წ	32

Ვოლტაჟი			Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400 წ	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წ	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წ	32

Ვოლტაჟი			Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წ	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წ	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წ	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020 წ	28

ფუნქცია

1. პლასტმასი, დალუქული ფისით;

2. თუნუქის მოოქროვილი სპილენძის ჩანართები, მარტივი მონტაჟი IGBT-სთვის;

3. წინააღმდეგობა მაღალი ძაბვის, დაბალი tgδ, დაბალი ტემპერატურის ზრდა;

4. დაბალი ESL და ESR;

5. მაღალი პულსის დენი.

დაბალი ინდუქციური შიდა კონსტრუქციების, სურვილისამებრ ჩამოსხმული ფისოვანი კორპუსების და მორგებული ტერმინალების გამოყენებით, SMJ-P სერიები შექმნილია IGBTS სწრაფი გადართვისთვის და შეიძლება გამოვიდეს როგორც სნაბერები და მაღალი დენის მაღალი სიხშირის შეყვანის ფილტრები.

პროდუქტის დეტალური სურათები:

დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

ჩვენ ვრჩებით ჩვენი კომპანიის სულისკვეთებით "ხარისხი, შესრულება, ინოვაცია და მთლიანობა".ჩვენ მი : ალბანეთი, მექა, მონღოლეთი, ჩვენი ყველა პროდუქტი ექსპორტირებულია კლიენტებზე დიდ ბრიტანეთში, გერმანიაში, საფრანგეთში, ესპანეთში, აშშ-ში, კანადაში, ირანში, ერაყში, ახლო აღმოსავლეთში და აფრიკაში.ჩვენი პროდუქცია მოწონებულია ჩვენი მომხმარებლების მიერ მაღალი ხარისხის, კონკურენტული ფასებისა და ყველაზე ხელსაყრელი სტილისთვის.ჩვენ ვიმედოვნებთ, რომ დავამყარებთ საქმიან ურთიერთობას ყველა მომხმარებელთან და შემოგთავაზებთ უფრო ლამაზ ფერებს სიცოცხლისთვის.

Ac ფილტრი Eps აპლიკაციისთვის

ელექტრო მანქანის კონდენსატორი

მაღალი ძაბვის ელექტრო კონდენსატორი

ინვერტორული Dc Link კონდენსატორი

Pfc კონდენსატორი

დენის კონდენსატორის ბანკი

დენის კონდენსატორი Dc ლინკისთვის

ხრახნიანი/თხილის ტერმინალის რეზონანსული ფირის კონდენსატორი

თვითმმართველობის სამკურნალო პოლიპროპილენის კონდენსატორები

Snubber კონდენსატორი

ჩვენ მრავალი წელია ვთანამშრომლობთ ამ კომპანიასთან, კომპანია ყოველთვის უზრუნველყოფს დროულ მიწოდებას, კარგ ხარისხს და სწორ რაოდენობას, ჩვენ კარგი პარტნიორები ვართ.