ჩინეთის პერსონალიზებული პროდუქტების სპეციფიკური კონდენსატორის გადაწყვეტა - ROHS და REACH-თან თავსებადი ღერძული გამთიშველი კონდენსატორი SMJ-TE – CRE ქარხანა და მომწოდებლები

პერსონალიზებული პროდუქტების სპეციფიკური კონდენსატორის გადაწყვეტა - ROHS და REACH-თან თავსებადი ღერძული გამთიშველი კონდენსატორი SMJ-TE – CRE

პერსონალიზებული პროდუქტების სპეციფიკური კონდენსატორის გადაწყვეტა - ROHS და REACH თავსებადი ღერძული გამთიშველი კონდენსატორი SMJ-TE – CRE-ის გამორჩეული სურათი

მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ PDF ფორმატში

პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

უკუკავშირი (2)

ჩვენ ახლა გვყავს სპეციალიზებული, ეფექტური პერსონალი, რათა ჩვენს მომხმარებელს მაღალი ხარისხის მომსახურება შევთავაზოთ. ჩვენ, როგორც წესი, ვიცავთ მომხმარებელზე ორიენტირებულ და დეტალებზე ორიენტირებულ პრინციპს.ინვერტორული კონდენსატორი , გლობალური ფირის კონდენსატორის მომწოდებელი , ფირის კონდენსატორი ახალი ენერგეტიკული სისტემისთვისთუ თქვენ დაინტერესებული ხართ ჩვენი პროდუქტებითა და გადაწყვეტილებებით, თავისუფლად შეგიძლიათ მოგვმართოთ და გამოგვიგზავნოთ თქვენი მოთხოვნა. ჩვენ გულწრფელად ვიმედოვნებთ, რომ თქვენთან ორმხრივად მომგებიანი კორპორატიული ურთიერთობების დამყარებას შევძლებთ.

პერსონალიზებული პროდუქტების სპეციფიკური კონდენსატორის გადაწყვეტა - ROHS და REACH თავსებადი ღერძული გამთიშველი კონდენსატორი SMJ-TE – CRE დეტალები:

SMJ-TE სერია

მეტალიზებული პოლიპროპილენის ფირის გამანადგურებელი კონდენსატორი

თვითაღდგენადი, მშრალი ტიპის, გამქრობი კონდენსატორის ელემენტები დამზადებულია სპეციალურად პროფილირებული, ტალღისებურად მოჭრილი მეტალიზებული PP აპკის გამოყენებით, რომელიც უზრუნველყოფს დაბალ თვითინდუქციას, მაღალ მდგრადობას რღვევის მიმართ და მაღალ საიმედოობას. ზედმეტი წნევის გამორთვა საჭიროდ არ ითვლება. კონდენსატორის ზედა ნაწილი დალუქულია თვითჩაქრობადი, ეკოლოგიურად სუფთა ეპოქსიდური ფისით. სპეციალური დიზაინი უზრუნველყოფს ძალიან დაბალ თვითინდუქციას.

IMG_0953.HEIC

სპეციფიკაციების ცხრილი

SMJ-TE ღერძული კონდენსატორი
ძაბვა		Un630V.DC; Urms400Vac; აშშ 945V
ტევადობა (uF)	ლ (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224 წელი	14.2
ძაბვა		1000 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა; 500 ვოლტი; 1500 ვოლტი
ტევადობა (uF)	ლ (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350 წელი	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600 წელი	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320 წელი	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440 წელი	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 წელი	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 წელი	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 წელი	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
ძაბვა		1200 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა; 550 ვოლტი; 1800 ვოლტი
ტევადობა (uF)	ლ (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 წელი	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350 წელი	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600 წელი	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 წელი	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540 წელი	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 წელი	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 წელი	18.2
ძაბვა		1700 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა; 600 ვოლტი; 2550 ვოლტი
ტევადობა (uF)	ლ (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540 წელი	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 წელი	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 წელი	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 წელი	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 წელი	18.2
ძაბვა		2000 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა; 700 ვოლტი; 3000 ვოლტი
ტევადობა (uF)	ლ (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 წელი	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 წელი	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540 წელი	17.8
ძაბვა		3000 ვოლტი. მუდმივი ძაბვა; 750 ვოლტი; 4500 ვოლტი
ტევადობა (uF)	ლ (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ედს @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	იპკ(ა)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 წელი	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800 წელი	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350 წელი	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5

ვიდეო

პროდუქტის დეტალური სურათები:

დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

კარგად მართული აღჭურვილობა, სპეციალიზებული შემოსავლის მქონე გუნდი და უკეთესი გაყიდვის შემდგომი მომსახურება; ჩვენ ასევე ვართ ერთიანი მთავარი ოჯახი, ყველა რჩება ორგანიზაციის ღირებულებებთან „გაერთიანება, მონდომება, ტოლერანტობა“ პერსონალიზებული პროდუქტებისთვის სპეციფიკური კონდენსატორის გადაწყვეტისთვის - ROHS და REACH თავსებადი ღერძული გამთიშველი კონდენსატორი SMJ-TE – CRE, პროდუქტი მიეწოდება მთელ მსოფლიოს, როგორიცაა: თურქმენეთი, სურაბაია, პლიმუთი. ჩვენ უნდა გავაგრძელოთ „ხარისხიანი, ყოვლისმომცველი, ეფექტური“ ბიზნეს ფილოსოფიის დაცვა „პატიოსანი, პასუხისმგებლიანი, ინოვაციური“ მომსახურების სულისკვეთებით, კონტრაქტის დაცვით და რეპუტაციის დაცვით, პირველი კლასის პროდუქტებით და გაუმჯობესებული სერვისით, რათა მივიღოთ საზღვარგარეთელი მომხმარებლების მფარველები.

მზის ინვერტორისთვის მორგებული კონდენსატორი

მუდმივი დენის კონდენსატორების ქარხანა

ოთხპინიანი ტერმინალური კონდენსატორი

Gto Snubber