წინა კვირაში ჩვენ წარმოგიდგინეთ ფირის კონდენსატორების დახვევის პროცესი, ამ კვირაში კი მსურს ვისაუბრო ფირის კონდენსატორების ძირითად ტექნოლოგიაზე.

1. მუდმივი დაძაბულობის კონტროლის ტექნოლოგია

სამუშაო ეფექტურობის აუცილებლობის გამო, დახვევა, როგორც წესი, უფრო მაღალ სიმაღლეზეა, ძირითადად რამდენიმე მიკრონზე. განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია, თუ როგორ უნდა უზრუნველვყოთ ფირის მასალის მუდმივი დაჭიმულობა მაღალსიჩქარიანი დახვევის პროცესში. დიზაინის პროცესში ჩვენ არა მხოლოდ მექანიკური სტრუქტურის სიზუსტე უნდა გავითვალისწინოთ, არამედ გვქონდეს იდეალური დაჭიმვის კონტროლის სისტემა.

მართვის სისტემა, როგორც წესი, რამდენიმე ნაწილისგან შედგება: დაჭიმულობის რეგულირების მექანიზმი, დაჭიმულობის აღმოჩენის სენსორი, დაჭიმულობის რეგულირების ძრავა, გადასვლის მექანიზმი და ა.შ. დაჭიმულობის მართვის სისტემის სქემატური დიაგრამა ნაჩვენებია ნახ. 3-ში.

ფირისებრ კონდენსატორებს დახვევის შემდეგ გარკვეული ხარისხის სიმტკიცე სჭირდებათ, ხოლო ადრეული დახვევის მეთოდი გულისხმობს ზამბარის გამოყენებას, როგორც ამორტიზატორის, დაჭიმულობის კონტროლის საშუალებას. ეს მეთოდი იწვევს არათანაბარ დაჭიმულობას, როდესაც დახვევის პროცესში დახვევის ძრავა აჩქარებს, ანელებს და ჩერდება, რაც იწვევს კონდენსატორის ადვილად არეულობას ან დეფორმაციას, ასევე კონდენსატორის დანაკარგების დიდ რაოდენობას. დახვევის პროცესში უნდა შენარჩუნდეს გარკვეული დაჭიმულობა, ხოლო ფორმულა ასეთია.

F=K×B×H

ამ ფორმულაში:F-ტესიონ

             K-დაჭიმულობის კოეფიციენტი

             B- ფირის სიგანე (მმ)

            H-ფირის სისქე (μm)

მაგალითად, ფირის სიგანის დაჭიმულობა = 9 მმ და ფირის სისქის = 4.8 მკმ. მისი დაჭიმულობაა: 1.2×9×4.8=0.5(N)

განტოლებიდან (1) შესაძლებელია დაჭიმულობის დიაპაზონის გამოთვლა. დაჭიმულობის პარამეტრად შერჩეულია კარგი წრფივობის მქონე მორევული ზამბარა, ხოლო უკონტაქტო მაგნიტური ინდუქციის პოტენციომეტრი გამოიყენება დაჭიმულობის უკუკავშირის დეტექტორად, რათა ძრავის დახვევის დროს გამომავალი ბრუნვის მომენტი და დახვევის დენის სერვოძრავის მიმართულება გაკონტროლდეს ისე, რომ დაჭიმულობა მუდმივი იყოს დახვევის მთელი პროცესის განმავლობაში.

2. გრაგნილის კონტროლის ტექნოლოგია

 კონდენსატორის ბირთვების ტევადობა მჭიდრო კავშირშია გრილის ბრუნების რაოდენობასთან, ამიტომ კონდენსატორის ბირთვების ზუსტი კონტროლი ძირითად ტექნოლოგიად იქცევა. კონდენსატორის ბირთვის გრილა, როგორც წესი, მაღალი სიჩქარით ხორციელდება. რადგან გრილის ბრუნების რაოდენობა პირდაპირ გავლენას ახდენს ტევადობის მნიშვნელობაზე, გრილის ბრუნების რაოდენობისა და დათვლის კონტროლი მოითხოვს მაღალ სიზუსტეს, რაც, როგორც წესი, მიიღწევა მაღალსიჩქარიანი დათვლის მოდულის ან მაღალი აღმოჩენის სიზუსტის მქონე სენსორის გამოყენებით. გარდა ამისა, მასალის დაჭიმვის რაც შეიძლება ნაკლებად შეცვლის მოთხოვნის გამო გრილის პროცესში (წინააღმდეგ შემთხვევაში მასალა გარდაუვლად ირყევა, რაც გავლენას მოახდენს ტევადობის სიზუსტეზე), გრილა უნდა იყენებდეს ეფექტურ მართვის ტექნოლოგიას.

სეგმენტირებული სიჩქარის კონტროლი და გონივრული აჩქარება/შენელება, ასევე ცვლადი სიჩქარის დამუშავება ერთ-ერთი ყველაზე ეფექტური მეთოდია: სხვადასხვა დახვევის პერიოდისთვის გამოიყენება სხვადასხვა დახვევის სიჩქარე; ცვლადი სიჩქარის პერიოდში აჩქარება და შენელება გამოიყენება გონივრული ცვლადი სიჩქარის მრუდებით, რათა აღმოიფხვრას რხევა და ა.შ.

3. დემეტალიზაციის ტექნოლოგია

 მასალის რამდენიმე ფენა ერთმანეთზეა დახვეული და გარე და საზღვარზე თერმული დალუქვის დამუშავებას საჭიროებს. პლასტიკური აპკის მასალის გაზრდის გარეშე, გამოიყენება არსებული ლითონის აპკი, მისი ლითონის აპკი და მისი ლითონის მოპირკეთება იხსნება დემეტალიზაციის ტექნიკით, რათა მივიღოთ პლასტიკური აპკი გარე დალუქვამდე.

ამ ტექნოლოგიას შეუძლია დაზოგოს მასალის ღირებულება და ამავდროულად შეამციროს კონდენსატორის ბირთვის გარე დიამეტრი (ბირთვის თანაბარი ტევადობის შემთხვევაში). გარდა ამისა, დემეტალიზაციის ტექნოლოგიის გამოყენებით, ლითონის ფირის გარკვეული ფენის (ან ორი ფენის) ლითონის საფარი შეიძლება წინასწარ მოიხსნას ბირთვის ინტერფეისზე, რითაც თავიდან ავიცილებთ მოკლე ჩართვის გაწყვეტას, რამაც შეიძლება მნიშვნელოვნად გააუმჯობესოს დახვეული ბირთვების გამოსავლიანობა. სურათი 5-დან შეიძლება დავასკვნათ, რომ იგივე მოხსნის ეფექტის მისაღწევად. მოხსნის ძაბვა გათვლილია 0 ვოლტიდან 35 ვოლტამდე რეგულირებისთვის. სიჩქარე უნდა შემცირდეს 200 ბრ/წთ-დან 800 ბრ/წთ-მდე მაღალსიჩქარიანი დახვევის შემდეგ დემეტალიზაციისთვის. სხვადასხვა პროდუქტისთვის შესაძლებელია სხვადასხვა ძაბვის და სიჩქარის დაყენება.

4. თერმული დალუქვის ტექნოლოგია

 თერმული დალუქვა ერთ-ერთი მთავარი ტექნოლოგიაა, რომელიც გავლენას ახდენს დახვეული კონდენსატორის ბირთვების კვალიფიკაციაზე. თერმული დალუქვა გულისხმობს მაღალი ტემპერატურის შედუღების რკინის გამოყენებას პლასტიკური ფირის დასაკეცად და შესაერთებლად დახვეული კონდენსატორის ბირთვის ინტერფეისზე, როგორც ეს ნაჩვენებია ნახაზ 6-ზე. იმისათვის, რომ ბირთვი არ იყოს თავისუფლად შემოხვეული, საჭიროა მისი საიმედოდ შეერთება და ბოლო ზედაპირი იყოს ბრტყელი და ლამაზი. თერმული დალუქვის ეფექტზე გავლენას ახდენს რამდენიმე ძირითადი ფაქტორი, როგორიცაა ტემპერატურა, თერმული დალუქვის დრო, ბირთვის ბრუნვა და სიჩქარე და ა.შ.

ზოგადად, თბოიზოლაციის ტემპერატურა იცვლება ფირის სისქისა და მასალის მიხედვით. თუ ერთი და იგივე მასალის ფირის სისქე 3 მკმ-ია, თბოიზოლაციის ტემპერატურა 280℃-დან 350℃-მდე დიაპაზონშია, ხოლო ფირის სისქე 5.4 მკმ-ია, თბოიზოლაციის ტემპერატურა უნდა იყოს მორგებული 300cc-დან 380cc-მდე დიაპაზონში. თბოიზოლაციის სიღრმე პირდაპირ კავშირშია თბოიზოლაციის დროსთან, დაჭიმვის ხარისხთან, შედუღების რკინის ტემპერატურასთან და ა.შ. თბოიზოლაციის სიღრმის დაუფლება ასევე განსაკუთრებით მნიშვნელოვანია იმის დასადგენად, შესაძლებელია თუ არა კვალიფიციური კონდენსატორის ბირთვების წარმოება.

5. დასკვნა

 ბოლო წლებში ჩატარებული კვლევისა და განვითარების შედეგად, მრავალმა შიდა აღჭურვილობის მწარმოებელმა შეიმუშავა ფირის კონდენსატორის შესახვევი მოწყობილობა. ბევრი მათგანი მასალის სისქის, დახვევის სიჩქარის, დემეტალიზაციის ფუნქციისა და დახვევის პროდუქციის ასორტიმენტის თვალსაზრისით უკეთესია, ვიდრე ქვეყნის შიგნით და საზღვარგარეთ არსებული იგივე პროდუქტები და გააჩნია საერთაშორისო მოწინავე ტექნოლოგიური დონე. აქ მოცემულია ფირის კონდენსატორის შესახვევი ტექნიკის ძირითადი ტექნოლოგიის მოკლე აღწერა და ვიმედოვნებთ, რომ შიდა ფირის კონდენსატორების წარმოების პროცესთან დაკავშირებული ტექნოლოგიის უწყვეტი პროგრესით, შევძლებთ ჩინეთში ფირის კონდენსატორების წარმოების აღჭურვილობის ინდუსტრიის ენერგიულ განვითარებას.