• ბბბ

ახალი ცვლადი დენის ფილტრის კონდენსატორი თანამედროვე გადამყვანისა და უწყვეტი კვების წყაროების გამოყენებისთვის

მოკლე აღწერა:

CRE აწარმოებს ფირის დიელექტრიკული კონდენსატორების ფართო სპექტრს - სამრეწველო და საავტომობილო ინდუსტრიისთვის განკუთვნილი მაღალი სიმძლავრის კონდენსატორებიდან დაწყებული, მაღალი სიმძლავრის ფირის კონდენსატორებით დამთავრებული, რომლებიც შესაფერისია ყველა სახის ელექტრონიკისთვის, 100 ვოლტიდან 100 კვ-მდე ძაბვის დიაპაზონში.


პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

ტექნიკური მონაცემები

ოპერაციული ტემპერატურის დიაპაზონი მაქს. სამუშაო ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +85℃ ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +70℃ ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃
ტევადობის დიაპაზონი ერთფაზიანი 20UF ~ 500μF
სამფაზიანი

3×40UF~3×200μF

Un/ნომინალური ძაბვა Un

330 ვოლტი AC/50 ჰერცი~1140 ვოლტი AC/50 ჰერცი

კაპ.ტოლი

±5%(ჯ);

ძაბვისადმი გამძლეობა

ვტ-ტ

2.15უნ /10ს

Vt-c

1000+2×უნ.ვ.ა. 60წმ (მინ.3000ვ.ა.)

გადაჭარბებული ძაბვა

1.1Un (დატვირთვის ხანგრძლივობის 30%)

1.15 უნი (30 წთ/დღეში)

1.2 უნ (5 წთ/დღეში)

1.3 უნ (1 წთ/დღეში)

1.5 Un (100ms ყოველ ჯერზე, 1000-ჯერ სიცოცხლის განმავლობაში)

დისიპაციის კოეფიციენტი

tgδ≤0.002 f=100Hz

tgδ0≤0.0002
იზოლაციის წინააღმდეგობა RS*C≥10000S (20℃ 100V.DC-ზე)
ალის შენელება

UL94V-0

მაქსიმალური მდგომარეობა

2000 მ

როდესაც სიმაღლე 2000 მეტრზე მეტია და 5000 მეტრზე ნაკლებია, აუცილებელია შემცირებული რაოდენობის გამოყენების განხილვა (ყოველი 1000 მეტრით გაზრდისას, ძაბვა და დენი შემცირდება 10%-ით).

სიცოცხლის ხანგრძლივობა

100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤55 °C)

საცნობარო სტანდარტი

IEC61071;IEC 60831;

ფუნქცია

ჩვენი ტექნოლოგია ძირითადად მშრალი დიზაინია და პოლიპროპილენის დიელექტრიკებზეა დაფუძნებული.

გამოყენება მოიცავს როგორც DC ფილტრაციას, ასევე AC ფილტრაციას, გაფანტვას, რეზონანსს, განმუხტვას და მაღალი ენერგიის დაგროვებას.

ტექნოლოგიური უპირატესობები

CRE ფირის კონდენსატორები ხელმისაწვდომია კონფიგურაციებისა და მახასიათებლების ფართო სპექტრში, ელექტრული ფირის კონდენსატორები უფრო უსაფრთხო გადაწყვეტილებებს გვთავაზობენ, ვიდრე ალუმინის ელექტროლიტური კონდენსატორები, რომლებსაც აქვთ შეზღუდული ძაბვის დიაპაზონი და გაჟონვის მაღალი რისკი, და რამდენიმე სხვა ტექნოლოგია, რომლებიც ფიზიკურად ვერ ახერხებენ მაღალი ძაბვისა და მაღალი დენის უსაფრთხოდ და ეფექტურად მართვას სასარგებლო ტევადობის მნიშვნელობებში.

ჩვენი გამოცდილი ტექნიკური გუნდი ყოველთვის უჭერს მხარს მომხმარებლებს მათი აპლიკაციებისთვის კონკრეტული გადაწყვეტილებებით.

ტიპიური წრედი

მაკ2

სიცოცხლის ხანგრძლივობა

mc3

ერთფაზიანი მოწყობილობის კონტურის ნახაზი

 

ΦD(მმ)

P(მმ)

H1 (მმ)

S

F

M

76

32

20

M12×16

M6×10

M8×20

86

32

20

M12×16

M6×10

M8×20

96

45

20

M12×16

M6×10

M8×20

116

50

22

M12×16

M6×10

M8×20

136

50

30

M16×25

M6×10

M8×20

mc4

mc5

სამფაზიანი ელექტროსადგურის მონახაზი

 

ΦD(მმ)

H1 (მმ)

S

F

M

D1

P

116

40

M12×16

M6×10

M8×20

50

43.5

136

30

M16×25

M6×10

M8×20

60

52

mc6

ძაბვა Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
80 76 80 40 80 6.4 19.2 30 4 4.2 32 0.5
120 86 80 40 70 8.4 25.2 40 2.8 3.3 32 0.7
150 96 80 45 70 10.5 31.5 50 3.5 1.7 45 0.75
170 76 130 50 60 10.2 30.6 60 3.2 1.3 32 0.75
230 86 130 50 60 13.8 41.4 70 2.4 1.3 32 1.1
300 96 130 50 50 15.0 45.0 75 2.8 1.0 45 1.2
420 116 130 60 50 21.0 63.0 80 1.9 1.2 50 1.6

 

ძაბვა Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
50 76 80 40 90 4.5 13.5 30 4 4.2 32 0.5
65 86 80 50 80 5.2 15.6 40 2.8 3.3 32 0.7
80 96 80 45 80 6.4 19.2 50 3.5 1.7 45 0.75
100 76 130 50 70 7.0 21.0 60 3.2 1.3 32 0.75
130 86 130 45 60 7.8 23.4 70 2.4 1.3 32 1.1
160 96 130 50 50 8.0 24.0 75 2.8 1.0 45 1.2
250 116 130 60 50 12.5 37.5 80 1.9 1.2 50 1.6

 

ძაბვა Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
40 76 130 50 100 4.0 12.0 30 2.8 6.0 32 0.75
50 76 150 45 90 4.5 13.5 35 2.4 5.1 32 0.85
60 86 130 45 80 4.8 14.4 40 2.2 4.3 32 1.1
65 86 150 50 80 5.2 15.6 45 1.8 4.1 32 1.2
75 96 130 50 80 6.0 18.0 50 1.5 4.0 45 1.2
80 96 150 55 75 6.0 18.0 60 1.2 3.5 45 1.3
110 116 130 60 70 7.7 23.1 65 0.8 4.4 50 1.6
120 116 150 65 50 6.0 18.0 75 0.6 4.4 50 1.8

 

ძაბვა Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
25 76 130 50 110 2.8 8.3 35 1.5 8.2 32 0.75
30 76 150 60 100 3.0 9.0 40 1.2 7.8 32 0.85
32 86 130 45 100 3.2 9.6 50 1.15 5.2 32 1.1
45 86 150 50 90 4.1 12.2 50 1.05 5.7 32 1.2
40 96 130 50 90 3.6 10.8 50 1 6.0 45 1.2
60 96 150 60 85 5.1 15.3 60 0.9 4.6 45 1.3
60 116 130 60 80 4.8 14.4 65 0.85 4.2 50 1.6
90 116 150 65 75 6.8 20.3 75 0.8 3.3 50 1.8

 

Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) IRMS(A) ედს (მΩ) Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
ძაბვა Un=400V.AC Us=1200V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
110 116 130 100 60 6.6 19.8 3×50 3×0.78 4.5 43.5 1.6
145 116 180 110 50 7.3 21.8 3×60 3×0.72 3.8 43.5 2.4
175 116 210 120 50 8.8 26.3 3×75 3×0.67 3.5 43.5 2.7
200 136 230 125 40 8.0 24.0 3×85 3×0.6 2.1 52 4.2

 

ძაბვა Un=500V.AC Us=1520V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
100 116 180 100 80 8.0 24.0 3×45 3×0.78 4.5 43.5 2.6
120 116 230 120 70 8.4 25.2 3×50 3×0.72 3.8 43.5 3
125 136 180 110 40 5.0 15.0 3×70 3×0.67 3.5 52 3.2
135 136 230 130 50 6.8 20.3 3×80 3×0.6 2.1 52 4.2

 

ძაბვა Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
49 116 230 120 70 3.4 10.3 3×56 3×0.55 2.1 43.5 3
55.7 136 230 130 90 5.0 15.0 3×56 3×0.4 2.1 52 4.2

 

ძაბვა Un=850V.AC Us=2580V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) არის (KA) ტემპერატურა (A) 50℃ ედს (მΩ) @1KHz Rth (K/W) P(მმ) წონა (კგ)
41.5 116 230 120 80 3.0 9.0 3×56 3×0.55 2.1 43.5 3
55.7 136 230 130 50 0.4 1.2 3×104 3×0.45 1.8 52 4.2

  • წინა:
  • შემდეგი:

  • გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება:

    დაწერეთ თქვენი შეტყობინება აქ და გამოგვიგზავნეთ

    გამოგვიგზავნეთ თქვენი შეტყობინება: