Hot New Products კომპაქტური დიზაინის ფირის კონდენსატორი - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგის დიელექტრიკი Snubber კონდენსატორი IGBT აპლიკაციისთვის – CRE

Მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

გამოხმაურება (2)

ჩვენ ვფიქრობთ, რას ფიქრობენ მომხმარებლები, გადაუდებელმა აუცილებლობამ იმოქმედოს მომხმარებლის პრინციპული პოზიციის ინტერესებიდან გამომდინარე, რაც საშუალებას იძლევა უკეთესი ხარისხის, დამუშავების დაბალი ხარჯების, ფასები უფრო გონივრული, მოიპოვა ახალ და ძველ მომხმარებლებს მხარდაჭერა და დადასტურება.ფირის კონდენსატორი რენტგენის დეტექტორისთვის , მაღალი ძაბვის Dc Link კონდენსატორი , ინვერტორული კონდენსატორი, მივესალმებით თქვენს სტუმრობას და ნებისმიერ თქვენს შეკითხვას, გულწრფელად ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენ გვექნება თქვენთან თანამშრომლობის შანსი და ჩვენ შეგვიძლია დაამყაროთ ხანგრძლივი კარგი საქმიანი ურთიერთობა თქვენთან.

Hot New Products კომპაქტური დიზაინის ფირის კონდენსატორი - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგის დიელექტრიკი Snubber კონდენსატორი IGBT აპლიკაციისთვის – CRE დეტალები:

SMJ-P სერია

ნომინალური ძაბვის დიაპაზონი: 1000 VDC-დან 2000 VDC-მდე
ტევადობის დიაპაზონი: 0.1 uf-დან 3.0 uf-მდე
სამონტაჟო ნაბიჯი: 22,5 მმ-დან 48 მმ-მდე
კონსტრუქცია: მეტალიზებული პოლიპროპილენის დიელექტრიკული შიდა სერიის კავშირი
აპლიკაცია: IGBT დაცვა, რეზონანსული სატანკო სქემები

თვითშეხორცებადი, მშრალი ტიპის, ჩამკეტი კონდენსატორის ელემენტები იწარმოება სპეციალურად პროფილირებული, ტალღური მოჭრილი მეტალიზებული PP ფირის გამოყენებით, რომელიც უზრუნველყოფს დაბალ თვითინდუქციურობას, მაღალი რღვევის წინააღმდეგობას და მაღალ საიმედოობას.ზედმეტი წნევის გათიშვა საჭიროდ არ ითვლება.კონდენსატორის ზედა ნაწილი დალუქულია თვითჩაქრობით ეკოლოგიურად სუფთა ეპოქსიდით.სპეციალური დიზაინი უზრუნველყოფს ძალიან დაბალ თვითინდუქციურობას.

IMG_0397.HEIC

სპეციფიკაციების ცხრილი

Ვოლტაჟი	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140 წ	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წ	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წ	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400 წ	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წ	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წ	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წ	33

Ვოლტაჟი	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400 წ	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წ	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წ	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წ	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წ	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წ	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Ვოლტაჟი	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წ	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წ	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წ	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წ	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წ	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წ	32

Ვოლტაჟი	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300 წ	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300 წ	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300 წ	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წ	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წ	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 წ	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წ	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წ	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წ	32

Ვოლტაჟი	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400 წ	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წ	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წ	32

Ვოლტაჟი	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წ	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წ	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წ	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020 წ	28

პროდუქტის დეტალური სურათები:

დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

პასუხისმგებელი შესანიშნავი და ფანტასტიკური საკრედიტო რეიტინგი ჩვენი პრინციპებია, რაც დაგვეხმარება უმაღლესი რანგის პოზიციაზე.დაიცავით პრინციპი "ხარისხის საწყისი, მყიდველი უმაღლესი" ცხელი ახალი პროდუქტების კომპაქტური დიზაინის ფირის კონდენსატორისთვის - პოლიპროპილენის ფირის დაბალი დანაკარგის დიელექტრიკი Snubber კონდენსატორი IGBT აპლიკაციისთვის - CRE, პროდუქტი მიაწოდებს მთელ მსოფლიოში, როგორიცაა: სტამბოლი, რუანდა, ბერძნული, უმაღლესი ხარისხისა და შესანიშნავი გაყიდვების შემდეგ, ჩვენი პროდუქცია კარგად იყიდება ამერიკაში, ევროპაში, ახლო აღმოსავლეთსა და სამხრეთ აფრიკაში.ჩვენ ასევე ვართ დანიშნული OEM ქარხანა რამდენიმე მსოფლიოში ცნობილი პროდუქციის ბრენდისთვის.კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება დაგვიკავშირდეთ შემდგომი მოლაპარაკებისა და თანამშრომლობისთვის.

კონდენსატორები საავტომობილო აპლიკაციებში

კომპაქტური დიზაინის ფირის კონდენსატორი

შეკვეთით დამზადებული რეზონანსული კონდენსატორი

Dc-ფილტრაციის კონდენსატორი

ფირის კონდენსატორის მწარმოებელი

ჰარმონიული რეზონანსული კონდენსატორი

დაბალი ტევადობის დაკარგვის ფიმ კონდენსატორი

პოლიპროპილენის ფირის კონდენსატორი

თვითგანკურნებადი მშრალი კონდენსატორი

Snubber კონდენსატორი