მაღალი კლასის IGBT Snubber კონდენსატორის დიზაინი მაღალი სიმძლავრის აპლიკაციებისთვის

Მოკლე აღწერა:

IGBT snubber SMJ-P

1. პლასტმასის ქეისი, დალუქული ფისით;

2. თუნუქის მოოქროვილი სპილენძის ჩანართები, მარტივი მონტაჟი IGBT-სთვის;

3. წინააღმდეგობა მაღალი ძაბვის, დაბალი tgδ, დაბალი ტემპერატურის ზრდა;

4. დაბალი ESL და ESR;

5. მაღალი პულსის დენი;

6. UL სერტიფიცირებული.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

Ტექნიკური მონაცემები

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი	მაქს.ოპერაციული ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +105℃ ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +85℃ ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃
ტევადობის დიაპაზონი	0.1 μF～5.6 μF
ნომინალური ძაბვა	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას	1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Იზოლაციის წინააღმდეგობა	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33 μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S)
გაუძლოს დარტყმის დენს	იხილეთ მონაცემთა ცხრილი
ცეცხლის შეფერხება	UL94V-0
Სიცოცხლის ხანგრძლივობა	100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)
საცნობარო სტანდარტი	IEC61071;GB/T17702;

სპეციფიკაციების ცხრილი

Ვოლტაჟი	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140 წ	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წ	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წ	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400 წ	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წ	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წ	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წ	33
Ვოლტაჟი	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400 წ	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წ	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წ	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წ	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წ	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წ	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Ვოლტაჟი	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წ	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წ	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წ	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წ	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წ	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300 წ	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300 წ	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300 წ	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წ	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წ	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 წ	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წ	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წ	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400 წ	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წ	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წ	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წ	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წ	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020 წ	28