ქარხნულად დამზადებული Snubber მაღალი სიმძლავრის ტირისტორისთვის - მაღალი კლასის IGBT Snubber კონდენსატორის დიზაინი მაღალი სიმძლავრის აპლიკაციებისთვის - CRE

Მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

გამოხმაურება (2)

ჩვენი კეთილმოწყობილი ობიექტები და განსაკუთრებული კარგი ხარისხის მართვა წარმოების ყველა ეტაპზე საშუალებას გვაძლევს გარანტირებული ვიყოთ მყიდველების სრული კმაყოფილებით.შედუღების ინვერტორი Dc Link კონდენსატორი , ფილმის კონდენსატორი Abb ინვერტორისთვის , ელექტრონული კონდენსატორი, შესაბამისად, ჩვენ შეგვიძლია მივიღოთ სხვადასხვა მოთხოვნები სხვადასხვა კლიენტისგან.გთხოვთ იხილოთ ჩვენი ვებგვერდი, რათა შეამოწმოთ მეტი ინფორმაცია ჩვენი პროდუქტების შესახებ.

ქარხნულად დამზადებული ცხელი გაყიდვადი Snubber მაღალი სიმძლავრის ტირისტორისთვის - მაღალი კლასის IGBT Snubber კონდენსატორის დიზაინი მაღალი სიმძლავრის აპლიკაციებისთვის - CRE დეტალები:

Ტექნიკური მონაცემები

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი	მაქს.ოპერაციული ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +105℃ ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +85℃ ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃
ტევადობის დიაპაზონი	0.1μF～5.6μF
ნომინალური ძაბვა	700V.DC~3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას	1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Იზოლაციის წინააღმდეგობა	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (at20℃ 100V.DC 60S)
გაუძლოს დარტყმის დენს	იხილეთ მონაცემთა ცხრილი
ცეცხლის შეფერხება	UL94V-0
Სიცოცხლის ხანგრძლივობა	100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)
საცნობარო სტანდარტი	IEC61071;GB/T17702;

სპეციფიკაციების ცხრილი

Ვოლტაჟი	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140 წ	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წ	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წ	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400 წ	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წ	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წ	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წ	33
Ვოლტაჟი	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400 წ	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წ	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წ	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წ	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წ	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წ	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Ვოლტაჟი	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წ	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წ	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წ	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წ	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წ	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300 წ	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300 წ	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300 წ	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წ	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წ	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 წ	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წ	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წ	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400 წ	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წ	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წ	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წ	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წ	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020 წ	28

პროდუქტის დეტალური სურათები:

დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

ჩვენი მიზანია დავაკმაყოფილოთ ჩვენი მყიდველები ოქროს პროვაიდერის შეთავაზებით, დიდი ფასი და კარგი ხარისხი ქარხნული ცხელი გაყიდვისთვის Snubber For High Powered Thyristor - მაღალი კლასის IGBT Snubber კონდენსატორის დიზაინი მაღალი სიმძლავრის აპლიკაციებისთვის - CRE , პროდუქტი მიაწვდის ყველას მთელ მსოფლიოში, როგორიცაა: მონაკო, პორტუგალია, მონრეალი, გვყავს კლიენტები 20-ზე მეტი ქვეყნიდან და ჩვენი რეპუტაცია აღიარებულია ჩვენი პატივცემული მომხმარებლების მიერ.უსასრულო გაუმჯობესება და 0%-იანი დეფიციტისკენ სწრაფვა არის ჩვენი ორი ძირითადი ხარისხის პოლიტიკა.თუ რამე დაგჭირდებათ, ნუ მოგერიდებათ დაგვიკავშირდეთ.

Ac ფილტრი გამოიყენება სარკინიგზო წევის ენერგოსისტემისთვის

Dc-Link კონდენსატორი სამრეწველო ინვერტორებისთვის

მშრალი ტიპის ფირის კონდენსატორი

ფილმის კონდენსატორების ქარხანა

ფირის კონდენსატორის მწარმოებელი

გლობალური კონდენსატორის მიმწოდებელი

მაღალი ენერგიის შესანახი კონდენსატორები

Igbt Snubber

საშუალო სიხშირის ღუმელის რეზონანსული კონდენსატორი

დენის კონდენსატორი Dc ლინკისთვის

დღევანდელ დროში ასეთი პროფესიონალი და პასუხისმგებელი პროვაიდერის პოვნა ადვილი არ არის.ვიმედოვნებთ, რომ ჩვენ შეგვიძლია შევინარჩუნოთ გრძელვადიანი თანამშრომლობა.

მაქსინის მიერ მაიამიდან - 2017.06.16 18:23

ეს საწარმო ინდუსტრიაში არის ძლიერი და კონკურენტუნარიანი, მიიწევს დროთა განმავლობაში და ვითარდება მდგრადი, ჩვენ ძალიან მოხარულები ვართ, რომ გვაქვს შესაძლებლობა ვითანამშრომლოთ!

სარა ბელიზიდან - 2017.06.25 12:48