ყველაზე იაფი ფასი დაბალი სიმძლავრის დაკარგვის ინდუქციური გამათბობელი კონდენსატორი - მაღალი პიკის დენის მძლავრი ფირის კონდენსატორების დიზაინი IGBT დენის ელექტრონიკის აპლიკაციებისთვის – CRE

ყველაზე იაფი ფასი დაბალი სიმძლავრის დაკარგვის ინდუქციური გამაცხელებელი კონდენსატორი - მაღალი პიკის დენის მძლავრი ფირის კონდენსატორების დიზაინი IGBT დენის ელექტრონიკის აპლიკაციებისთვის – CRE გამორჩეული სურათი

Მოკლე აღწერა:

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

დაკავშირებული ვიდეო

გამოხმაურება (2)

ჩვენ ხაზს ვუსვამთ წინსვლას და ყოველწლიურად შემოგვაქვს ახალი პროდუქტები და გადაწყვეტილებები ბაზარზეშეკვეთით დამზადებული რეზონანსული კონდენსატორი , მორგებული კონდენსატორის ბანკი , დენის ელექტრონული AC კონდენსატორი, ჩვენ სრულად მივესალმებით მომხმარებლებს მთელი მსოფლიოდან, რათა დაამყარონ სტაბილური და ორმხრივად მომგებიანი საქმიანი ურთიერთობები, გვქონდეს ერთად ნათელი მომავალი.

ყველაზე იაფი ფასი დაბალი სიმძლავრის დაკარგვის ინდუქციური გამათბობელი კონდენსატორი - მაღალი პიკის დენის მძლავრი ფირის კონდენსატორების დიზაინი IGBT სიმძლავრის ელექტრონიკის აპლიკაციებისთვის - CRE დეტალები:

Ტექნიკური მონაცემები

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი	მაქს.ოპერაციული ტემპერატურა., ზედა, მაქს: +105℃ ზედა კატეგორიის ტემპერატურა: +85℃ ქვედა კატეგორიის ტემპერატურა: -40℃
ტევადობის დიაპაზონი	0.1μF～5.6μF
ნომინალური ძაბვა	700V.DC~3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას	1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Იზოლაციის წინააღმდეგობა	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S) C＞0.33μF RS*C≥5000S (at20℃ 100V.DC 60S)
გაუძლოს დარტყმის დენს	იხილეთ მონაცემთა ცხრილი
ცეცხლის შეფერხება	UL94V-0
Სიცოცხლის ხანგრძლივობა	100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)
საცნობარო სტანდარტი	IEC61071;GB/T17702;

სპეციფიკაციების ცხრილი

Ვოლტაჟი	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140 წ	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 წ	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 წ	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400 წ	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 წ	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 წ	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 წ	33
Ვოლტაჟი	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	განზომილება (მმ)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400 წ	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 წ	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 წ	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 წ	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 წ	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 წ	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Ვოლტაჟი	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 წ	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 წ	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 წ	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 წ	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 წ	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300 წ	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300 წ	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300 წ	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 წ	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 წ	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100 წ	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 წ	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 წ	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400 წ	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 წ	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 წ	32
Ვოლტაჟი	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	ირმს
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 წ	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 წ	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 წ	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020 წ	28

პროდუქტის დეტალური სურათები:

დაკავშირებული პროდუქტის სახელმძღვანელო:

ჩვენ ვსარგებლობთ ძალიან კარგი სტატუსით ჩვენს პერსპექტივებს შორის ჩვენი დიდი საქონლის უმაღლესი ხარისხის, კონკურენტული ფასისა და იდეალური სერვისისთვის ყველაზე იაფფასიანი დაბალი სიმძლავრის დაკარგვის ინდუქციური გამაცხელებელი კონდენსატორისთვის - მაღალი პიკის დენის snubber film capacitors design for IGBT power electronics applications – CRE , პროდუქტი იქნება მიწოდება მთელ მსოფლიოში, როგორიცაა: არაბთა გაერთიანებული საემიროები, ბურუნდი, აკრა, ჩვენი კომპანია ყოველთვის კონცენტრირებულია საერთაშორისო ბაზრის განვითარებაზე.ჩვენ გვყავს უამრავი მომხმარებელი რუსეთში, ევროპის ქვეყნებში, აშშ-ში, ახლო აღმოსავლეთის ქვეყნებში და აფრიკის ქვეყნებში.ჩვენ ყოველთვის მივყვებით, რომ ხარისხი არის საფუძველი, ხოლო სერვისი გარანტიაა ყველა მომხმარებლისთვის.

მორგებული კონდენსატორის ბანკი

ენერგიის შესანახი კონდენსატორი

ფირის კონდენსატორი დენის ინვერტორისთვის

ოთხი ქინძისთავის ტერმინალის კონდენსატორი

ჰარმონიული რეზონანსული კონდენსატორი

Igbt Snubber

მეტალიზებული Pp ფირის კონდენსატორი

სიმძლავრის ფაქტორის კორექტირების კონდენსატორი

პროფესიონალური კონდენსატორის გადაწყვეტა

მზის ენერგიის კონდენსატორი

იმედი მაქვს, რომ კომპანიას შეუძლია დაიცვას საწარმოს სულისკვეთება "ხარისხი, ეფექტურობა, ინოვაცია და მთლიანობა", ეს მომავალში უკეთესი და უკეთესი იქნება.