ღერძული GTO snubber კონდენსატორები

ღერძული GTO snubber capacitors გამორჩეული სურათი

Მოკლე აღწერა:

ეს კონდენსატორები შესაფერისია იმისთვის, რომ გაუძლოს მძიმე დენის იმპულსებს, რომლებიც ჩვეულებრივ გვხვდება GTO დაცვაში.ღერძული კავშირები საშუალებას იძლევა შეამციროს სერიის ინდუქციურობა და უზრუნველყოს ძლიერი მექანიკური სამონტაჟო საიმედო ელექტრო კონტაქტი და კარგი თერმული გაფრქვევა, რომელიც წარმოიქმნება მომსახურების დროს.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ როგორც PDF

პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

Ტექნიკური მონაცემები

Სამუშაო ტემპერატურის დიაპაზონი	-40℃-დან +85℃-მდე
ტევადობის დიაპაზონი	0.1μF～5.6μF
ნომინალური ძაბვა	630V.DC-2000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
გაუძლოს ძაბვას	1.5Un DC/10S
გაფრქვევის ფაქტორი	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Იზოლაციის წინააღმდეგობა	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S-ზე) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S-ზე)
გაუძლოს დარტყმის დენს	იხილეთ მონაცემთა ცხრილი
Სიცოცხლის ხანგრძლივობა	100000 სთ (არა; Θცხელი წერტილი≤85°C)
საცნობარო სტანდარტი	IEC 61071 ;IEC 61881;GB/T17702

განაცხადი

1. IGBT Snubber, GTO snubber

2. ფართოდ გამოიყენება ძალა ელექტრო მოწყობილობები, როდესაც პიკი ძაბვის, პიკი მიმდინარე შთანთქმის დაცვა.

კონტურის ნახაზი

SMJ-TE ღერძული კონდენსატორი
Ვოლტაჟი		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036 წ	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224 წ	14.2
Ვოლტაჟი		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350 წ	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600 წ	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320 წ	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250 წ	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440 წ	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 წ	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 წ	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 წ	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Ვოლტაჟი		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300 წ	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 წ	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350 წ	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600 წ	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 წ	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540 წ	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 წ	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 წ	18.2
Ვოლტაჟი		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300 წ	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125 წ	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300 წ	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540 წ	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 წ	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 წ	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 წ	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 წ	18.2
Ვოლტაჟი		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 წ	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400 წ	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300 წ	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250 წ	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 წ	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540 წ	17.8
Ვოლტაჟი		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
ტევადობა (uF)	L (მმ±1)	T (მმ±1)	H (მმ±1)	φd (მმ)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 წ	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800 წ	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350 წ	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5